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型号: FZT849
描述: DIODES INC. FZT849 单晶体管 双极, NPN, 30 V, 100 MHz, 3 W, 7 A, 200 hFE
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封 装: SOT-223
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包装方式: Cut Tape (CT)
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技术参数/极性:

NPN

 

技术参数/耗散功率:

3 W

 

技术参数/击穿电压(集电极-发射极):

30 V

 

技术参数/集电极最大允许电流:

7A

 

技术参数/最小电流放大倍数(hFE):

100

 

技术参数/直流电流增益(hFE):

200

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

4

 

封装参数/封装:

SOT-223

 

外形尺寸/封装:

SOT-223

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Cut Tape (CT)

 

其他/制造应用:

Automotive, Military, 国防, 车用, 军用与航空, Aerospace, Defence

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/军工级:

Yes

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

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