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型号： HM20N06K
描述： N沟道增强型功率MOSFET
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品 牌： H&M Semiconductor (华之美)
封 装： TO-252
货 期：
包装方式：
标准包装数： 1
0.71  元 0.71元
10-49:
￥0.9585
50-99:
￥0.9088
100-299:
￥0.8733
300-499:
￥0.8520
500-999:
￥0.8307
1000-2499:
￥0.8094
2500-4999:
￥0.7775
≥5000:
￥0.7704
数量
10-49
50-99
100-299
300-499
500-999
价格
￥0.9585
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￥0.8733
￥0.8520
￥0.8307
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封装参数/封装：

TO-252

 

外形尺寸/封装：

TO-252

 

物理参数/工作温度：

-55℃ ~ 150℃

 

其他/产品特性：

超低Rd，超高密度电池设计、高EAS

 

其他/漏源电压VDS：

60V

 

其他/栅源电压VGS：

20V

 

其他/电流ID：

20A

 

其他/电流IDM：

60A

 

其他/导通内阻RDS：

37mΩ

 

其他/工作温度：

-55°C~ +150°C

 

其他/封装：

TO-252

 

其他/替换型号：

AOD4184/IRFR020/AOD442/AOD454/IRLR024N/AP9971GH/IRFR2905

 

符合标准/RoHS标准：

RoHS Compliant

 

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