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封装参数/封装：
SOT-553
外形尺寸/封装：
其他/集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO) 去、Q1/Q2：
50V/50V
其他/集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO) Q1/Q2：
其他/集电极连续输出电流IC Collector Current(IC) Q1/Q2：
100mA/100MA
其他/Q1基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)：
22KΩ
其他/Q1基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)：
22KΩ
其他/Q1电阻比(R1/R2) Q1 Resistance Ratio：
1
其他/Q2基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)：
其他/Q2基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)：
其他/Q2电阻比(R1/R2) Q2 Resistance Ratio：
其他/直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)：
60
其他/截止频率fT Transtion Frequency(fT) Q1/Q2：
150mhz/150MHZ
其他/耗散功率Pc Power Dissipation Q1/Q2：
125mw/0.125W
其他/规格书PDF：
__
符合标准/RoHS标准：
RoHS Compliant
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