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封装参数/封装：
SOT-363
外形尺寸/封装：
其他/集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)：
-50V
其他/集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)：
其他/集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)：
-100MA/-0.1A
其他/基极输入电阻R1 Input Resistance(R1)：
10KΩ
其他/基极-发射极输入电阻R2 Base-Emitter Resistance(R2)：
47KΩ
其他/基极与基极-发射极输入电阻比(R1/R2) Base-Emitter Input Resistance Ratio(R1/R2)：
0.21
其他/直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)：
80~140
其他/耗散功率Pc Power Dissipation：
385MW/0.385W
其他/技术文档PDF下载：
在线阅读
其他/规格书PDF：
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