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封装参数/安装方式：
Surface Mount
封装参数/封装：
SOT-563
外形尺寸/封装：
其他/集电极-基极反向击穿电压V(BR)CBO Collector-Base Voltage(VCBO)：
Q1/Q2=9V/9V
其他/集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO Collector-Emitter Voltage(VCEO)：
Q1/Q2=6V/6V
其他/集电极连续输出电流IC Collector Current(IC)：
Q1/Q2=30MA/100MA
其他/截止频率fT Transtion Frequency(fT)：
Q1/Q2=12GHZ/9GHZ
其他/直流电流增益hFE DC Current Gain(hFE)：
Q1/Q2=75~150/80~160
其他/管压降VCE（sat） Collector-Emitter Saturation Voltage：
Q1/Q2=
其他/耗散功率Pc Power Dissipation：
NPN型硅外延双晶体管 两个不同的模具类型: Q1 -理想晶体管振荡器 Q2 -理想的缓冲放大器晶体管
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