芯片AI顾问
技术参数/额定电压(DC)： | 800 V |
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技术参数/额定电流： | 6.00 A |
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技术参数/通道数： | 1 |
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技术参数/针脚数： | 3 |
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技术参数/漏源极电阻： | 0.78 Ω |
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技术参数/极性： | N-Channel |
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技术参数/耗散功率： | 39 W |
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技术参数/阈值电压： | 3 V |
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技术参数/漏源极电压(Vds)： | 800 V |
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技术参数/漏源击穿电压： | 800 V |
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技术参数/连续漏极电流(Ids)： | 6.00 A |
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技术参数/上升时间： | 15 ns |
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技术参数/输入电容(Ciss)： | 785pF @100V(Vds) |
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技术参数/下降时间： | 8 ns |
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技术参数/工作温度(Max)： | 150 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 39 W |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 3 |
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封装参数/封装： | TO-220-3 |
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外形尺寸/长度： | 10.65 mm |
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外形尺寸/宽度： | 4.85 mm |
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外形尺寸/高度： | 16.15 mm |
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外形尺寸/封装： | TO-220-3 |
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其他/产品生命周期： | Obsolete |
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其他/包装方式： | Tube |
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其他/制造应用： | Alternative Energy, 工业, 替代能源, Power Management, Consumer Electronics, 消费电子产品, Industrial, 电源管理 |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC标准： | No SVHC |
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符合标准/REACH SVHC版本： | 2015/12/17 |
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