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描述: 晶体管, MOSFET, N沟道, 48.2 A, 75 V, 0.0147 ohm, 10 V, 1.65 V
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封 装: SOT-669-4
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/通道数:

1

 

技术参数/针脚数:

4

 

技术参数/漏源极电阻:

15.9 mΩ

 

技术参数/耗散功率:

106 W

 

技术参数/阈值电压:

1.65 V

 

技术参数/输入电容:

2322 pF

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

75 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

75 V

 

技术参数/上升时间:

11 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

3096pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

106 W

 

技术参数/下降时间:

21 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

106W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

5

 

封装参数/封装:

SOT-669-4

 

外形尺寸/封装:

SOT-669-4

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

其他/制造应用:

工业, 照明, 电机驱动与控制, 自动化与过程控制, 电源管理, 车用

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

无铅

 

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