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封装参数/封装：
SO-8
外形尺寸/封装：
其他/封装/外壳：
其他/Td(on)(ns)：
5
其他/Coss(pF)：
70
其他/FET类型：
N-Channel
其他/栅极电压Vgs：
20V
其他/Rds On(Max)@Id,Vgs：
22mΩ@10V
其他/Crss(pF)：
50
其他/漏源极电压Vds：
30V
其他/Rds On(Max)@4.5V：
30mΩ
其他/ESD Diode：
No
其他/Ciss(pF)：
650
其他/Trr(ns)：
其他/Qrr(nC)：
其他/Td(off)(ns)：
18
其他/VGS(th)：
2.3
其他/Qg*(nC)：
7
其他/Pd-功率耗散(Max)：
2.5W
其他/连续漏极电流Id：
8.5A
其他/Schottky Diode：
其他/Qgd(nC)：
2.5
符合标准/RoHS标准：
RoHS Compliant
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