扫描二维码
手机购物更实惠
可以去看看哪些想要买的
技术参数/增益：
13.5 dB
封装参数/封装：
SO-2
外形尺寸/封装：
其他/Operating Frequency：
12 GHz
其他/Case/Package：
S0-2
其他/제품：
RF JFET
其他/Technology：
GaAs
其他/Transistor 타입：
HFET
其他/타입：
GaAs HFET
其他/Brand：
CEL
其他/순방향 트랜스컨덕턴스 - 최소：
55 mS
其他/Gain：
其他/Gate-Source Cutoff Voltage：
4 V
其他/장착 스타일：
SMD/SMT
其他/트랜지스터 극성：
N-Channel
其他/Id - 연속 드레인 전류：
70 mA
其他/제조업체：
其他/최대 작동 온도：
125 C
其他/NF - Noise Figure：
0.35 dB
其他/Pd - 전력 발산：
165 mW
其他/Standard Pack Qty：
1
其他/Vds - 드레인-소스 항복 전압：
其他/Vgs - 게이트-소스 항복 전압：
3 V
其他/RoHS：
Compliant
符合标准/RoHS标准：
RoHS Compliant
期待你分享科技带来的乐趣
对商品还不太了解，问问看吧
©Copyright 2013-2025 亿配芯城（深圳）电子科技有限公司 粤ICP备17008354号
Loading...
对比栏
隐藏
展开
对比
清空
最有帮助的评价