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型号: NDP6060L
描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR NDP6060L 晶体管, MOSFET, N沟道, 48 A, 60 V, 25 mohm, 10 V, 2 V
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封 装: TO-220-3
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包装方式: Tube
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技术参数/额定电压(DC):

60.0 V

 

技术参数/额定电流:

48.0 A

 

技术参数/额定功率:

100 W

 

技术参数/通道数:

1

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

25 mΩ

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

100 W

 

技术参数/阈值电压:

2 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

60 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

60 V

 

技术参数/栅源击穿电压:

±16.0 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

48.0 A

 

技术参数/上升时间:

320 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

2000pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

100 W

 

技术参数/下降时间:

161 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-65 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

100W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-220-3

 

外形尺寸/长度:

10.67 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.7 mm

 

外形尺寸/高度:

16.3 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-220-3

 

物理参数/工作温度:

-65℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/06/15

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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