封装参数/封装: | SOIC-8 |
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外形尺寸/封装: | SOIC-8 |
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其他/Series: | PowerTrenchR |
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其他/Packaging: | Digi-ReelR Alternate Packaging |
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其他/Part-Aliases: | NDS9948_NL |
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其他/Unit-Weight: | 0.006596 oz |
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其他/Mounting-Style: | SMD/SMT |
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其他/Package-Case: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
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其他/Technology: | Si |
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其他/Operating-Temperature: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
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其他/Mounting-Type: | Surface Mount |
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其他/Number-of-Channels: | 2 Channel |
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其他/Supplier-Device-Package: | 8-SO |
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其他/Configuration: | Dual Dual Drain |
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其他/FET-Type: | 2 P-Channel (Dual) |
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其他/Power-Max: | 900mW |
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其他/Transistor-Type: | 2 P-Channel |
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其他/Drain-to-Source-Voltage-Vdss: | 60V |
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其他/Input-Capacitance-Ciss-Vds: | 394pF @ 30V |
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其他/FET-Feature: | Logic Level Gate |
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其他/Current-Continuous-Drain-Id-25°C: | 2.3A |
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其他/Rds-On-Max-Id-Vgs: | 250 mOhm @ 2.3A, 10V |
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其他/Vgs-th-Max-Id: | 3V @ 250μA |
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其他/Gate-Charge-Qg-Vgs: | 13nC @ 10V |
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其他/Pd-Power-Dissipation: | 2 W |
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其他/Maximum-Operating-Temperature: | \+ 175 C |
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其他/Minimum-Operating-Temperature: | \- 55 C |
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其他/Fall-Time: | 3 ns |
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其他/Rise-Time: | 9 ns |
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其他/Vgs-Gate-Source-Voltage: | 20 V |
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其他/Id-Continuous-Drain-Current: | 2.3 A |
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其他/Vds-Drain-Source-Breakdown-Voltage: | \- 60 V |
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其他/Rds-On-Drain-Source-Resistance: | 138 mOhms |
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其他/Transistor-Polarity: | P- 视频播放©Copyright 2013-2025 亿配芯城(深圳)电子科技有限公司 粤ICP备17008354号 |
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