技术参数/供电电流: | 800 µA |
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技术参数/电路数: | 1 |
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技术参数/通道数: | 1 |
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技术参数/针脚数: | 8 |
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技术参数/耗散功率: | 470 mW |
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技术参数/共模抑制比: | 120 dB |
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技术参数/带宽: | 25 kHz |
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技术参数/转换速率: | 250 mV/μs |
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技术参数/增益频宽积: | 2.5 MHz |
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技术参数/输入补偿电压: | 50 µV |
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技术参数/输入偏置电流: | 1 pA |
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技术参数/工作温度(Max): | 85 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min): | -40 ℃ |
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技术参数/3dB带宽: | 25 kHz |
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技术参数/增益带宽: | 2.5 MHz |
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技术参数/共模抑制比(Min): | 80 dB |
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技术参数/电源电压: | 2.85V ~ 5.25V |
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技术参数/电源电压(Max): | 5.25 V |
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技术参数/电源电压(Min): | 2.85 V |
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封装参数/安装方式: | Surface Mount |
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封装参数/引脚数: | 8 |
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封装参数/封装: | SOIC-8 |
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外形尺寸/长度: | 5 mm |
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外形尺寸/宽度: | 4 mm |
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外形尺寸/高度: | 1.5 mm |
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外形尺寸/封装: | SOIC-8 |
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物理参数/工作温度: | -40℃ ~ 85℃ |
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其他/产品生命周期: | Unknown |
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其他/包装方式: | Each |
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其他/制造应用: | Signal Processing, Industrial, Sensing & Instrumentation, 工业, 信号处理, 传感与仪器 |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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