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型号: IRF8113PBF
描述: INFINEON IRF8113PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 17.2 A, 30 V, 5.6 mohm, 10 V, 2.2 V
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封 装: SOIC-8
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包装方式: Rail, Tube
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技术参数/额定功率:

2.5 W

 

技术参数/针脚数:

8

 

技术参数/漏源极电阻:

0.0056 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

2.5 W

 

技术参数/阈值电压:

2.2 V

 

技术参数/输入电容:

2910pF @15V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

30 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

30 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

17.2A

 

技术参数/上升时间:

8.9 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

2910pF @15V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

3.5 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

2.5W (Ta)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

8

 

封装参数/封装:

SOIC-8

 

外形尺寸/长度:

4.9 mm

 

外形尺寸/宽度:

3.9 mm

 

外形尺寸/高度:

1.75 mm

 

外形尺寸/封装:

SOIC-8

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Obsolete

 

其他/包装方式:

Rail, Tube

 

其他/制造应用:

通信与网络, Power Management, 电源管理, Computers & Computer Peripherals, Power Management, Communications & Networking, 计算机和计算机周边, Communications & Networking, Computers & Computer Peripherals

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

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