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技术参数/极性：
PNP
技术参数/击穿电压(集电极-发射极)：
350 V
技术参数/集电极最大允许电流：
2A
技术参数/工作温度(Max)：
200 ℃
技术参数/工作温度(Min)：
-55 ℃
技术参数/耗散功率(Max)：
3000 mW
封装参数/安装方式：
Through Hole
封装参数/引脚数：
3
封装参数/封装：
TO-66
外形尺寸/封装：
物理参数/材质：
Silicon
其他/产品生命周期：
Active
其他/包装方式：
Tray
符合标准/RoHS标准：
Non-Compliant
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