技术参数/电路数： | 1 |
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技术参数/钳位电压： | 9 V |
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技术参数/测试电流： | 25 mA |
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技术参数/脉冲峰值功率： | 500 W |
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技术参数/最小反向击穿电压： | 5.6 V |
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技术参数/击穿电压： | 5.6 V |
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技术参数/工作温度(Max)： | 175 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min)： | -55 ℃ |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/引脚数： | 2 |
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封装参数/封装： | Case E |
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外形尺寸/封装： | Case E |
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物理参数/工作温度： | -55℃ ~ 175℃ (TJ) |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Bag |
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其他/制造应用： | 通用 |
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符合标准/RoHS标准： | Non-Compliant |
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符合标准/含铅标准： | Contains Lead |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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Semtech Corporation | 类似代替 | Axial |
Diode TVS Single Uni-Dir 6V 500W 2Pin Case G
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JAN1N6461
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Microsemi (美高森美) | 类似代替 | Case E |
ESD 抑制器/TVS 二极管 T DAP UNI 500W 5V
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