技术参数/容差： | ±2 % |
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技术参数/正向电压： | 1.1V @200mA |
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技术参数/耗散功率： | 500 mW |
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技术参数/测试电流： | 20 mA |
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技术参数/稳压值： | 3.9 V |
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技术参数/额定功率(Max)： | 500 mW |
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技术参数/耗散功率(Max)： | 500 mW |
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封装参数/安装方式： | Through Hole |
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封装参数/封装： | DO-35 |
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外形尺寸/封装： | DO-35 |
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物理参数/工作温度： | -65℃ ~ 200℃ |
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其他/产品生命周期： | Active |
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其他/包装方式： | Ammo Pack |
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符合标准/RoHS标准： | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准： | 无铅 |
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| 型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
|---|---|---|---|---|---|---|
1N5228C-TR
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Vishay Semiconductor (威世) | 完全替代 | DO-35 |
DIODE 3.9V, 0.5W(1/2W), SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE, DO-35, GLASS PACKAGE-2, Voltage Regulator Diode
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