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描述: 36兆位QDR⑩ - II SRAM 4字突发架构 36-Mbit QDR⑩-II SRAM 4-Word Burst Architecture
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技术参数/存取时间:

0.45 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

70 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

0 ℃

 

技术参数/电源电压:

1.7V ~ 1.9V

 

封装参数/引脚数:

165

 

封装参数/封装:

FBGA-165

 

外形尺寸/高度:

0.89 mm

 

外形尺寸/封装:

FBGA-165

 

物理参数/工作温度:

0℃ ~ 70℃ (TA)

 

其他/产品生命周期:

Unknown

 

符合标准/RoHS标准:

 

符合标准/含铅标准:

 

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