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型号: FQB19N20LTM
描述: FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQB19N20LTM 晶体管, MOSFET, N沟道, 21 A, 200 V, 0.11 ohm, 10 V, 2 V
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封 装: TO-263-3
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/额定电压(DC):

200 V

 

技术参数/额定电流:

21.0 A

 

技术参数/针脚数:

2

 

技术参数/漏源极电阻:

0.11 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

3.13 W

 

技术参数/阈值电压:

2 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

200 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

200 V

 

技术参数/栅源击穿电压:

±20.0 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

21.0 mA

 

技术参数/上升时间:

300 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

2200pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

3.13 W

 

技术参数/下降时间:

180 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

3.13W (Ta), 140W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

2

 

封装参数/封装:

TO-263-3

 

外形尺寸/长度:

10.67 mm

 

外形尺寸/宽度:

9.65 mm

 

外形尺寸/高度:

4.83 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-263-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/06/15

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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