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型号: 2SK1339-E
描述: N 沟道 MOSFET,Renesas Electronics (NEC) ### MOSFET 晶体管,Renesas Electronics (NEC)
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封 装: TO-3-3
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包装方式: Tube
标准包装数: 1
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技术参数/耗散功率:

80W (Tc)

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

900 V

 

技术参数/上升时间:

40 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

425pF @10V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

80 W

 

技术参数/下降时间:

55 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

80W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-3-3

 

外形尺寸/长度:

15.6 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.8 mm

 

外形尺寸/高度:

19.9 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-3-3

 

物理参数/材质:

Silicon

 

物理参数/工作温度:

150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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