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描述: Nexperia Si N沟道 MOSFET PSMN2R6-40YS,115, 100 A, Vds=40 V, 4引脚 SOT-669封装
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封 装: SOT-669
货 期:
包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/针脚数:

4

 

技术参数/漏源极电阻:

0.002 Ω

 

技术参数/耗散功率:

131 W

 

技术参数/阈值电压:

3 V

 

技术参数/输入电容:

3776 pF

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

40 V

 

技术参数/上升时间:

22 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

3776pF @12V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

131 W

 

技术参数/下降时间:

15 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

131W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

4

 

封装参数/封装:

SOT-669

 

外形尺寸/长度:

5 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.1 mm

 

外形尺寸/高度:

1.1 mm

 

外形尺寸/封装:

SOT-669

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

其他/制造应用:

工业, 消费电子产品, 电机驱动与控制, 电源管理, 通信与网络

 

符合标准/RoHS标准:

 

符合标准/含铅标准:

无铅

 

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