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描述: VISHAY SI1317DL-T1-GE3 晶体管, MOSFET, P沟道, -1.4 A, -20 V, 0.125 ohm, -4.5 V, 450 mV
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技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.125 Ω

 

技术参数/极性:

P-Channel

 

技术参数/耗散功率:

500 mW

 

技术参数/阈值电压:

450 mV

 

技术参数/上升时间:

20 ns

 

技术参数/下降时间:

9 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-50 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

0.5 W

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

SOT-323-3

 

外形尺寸/长度:

2.2 mm

 

外形尺寸/宽度:

1.35 mm

 

外形尺寸/高度:

1 mm

 

外形尺寸/封装:

SOT-323-3

 

物理参数/工作温度:

-50℃ ~ 150℃

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

其他/制造应用:

Power Management, Industrial

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/06/15

 

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