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描述: IGBT 模块,6 包,Fuji Electric V - 系列,第 6 代现场挡块 U/U4 系列,第 5 代现场挡块 S - 系列,第 4 代 NPT 注 模块内每晶体的最大集电极电流 (Ic) 值是额定的。 IGBT 分立件和模块,Fuji Electric 绝缘栅级双极性晶体管或 IGBT 是一种三端子功率半导体设备,以高效和快速切换著称。 IGBT 通过将用于控制输入的隔离栅极 FET 和用作开关的双极性功率晶体管组合在单个设备中,将 MOSFET 的简单栅极驱动特性与双极性晶体管的高电流和低饱和电压能力组合在一起。
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封 装: M636
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技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

520 W

 

封装参数/安装方式:

PCB

 

封装参数/引脚数:

28

 

封装参数/封装:

M636

 

外形尺寸/长度:

107.5 mm

 

外形尺寸/宽度:

45 mm

 

外形尺寸/高度:

17 mm

 

外形尺寸/封装:

M636

 

其他/产品生命周期:

Active

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

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