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型号: PSMN020-100YS
描述: NXP PSMN020-100YS 晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 100 V, 15 mohm, 10 V, 3 V
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技术参数/针脚数:

4

 

技术参数/漏源极电阻:

0.015 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

106 W

 

技术参数/阈值电压:

3 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

100 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

43A

 

技术参数/输入电容(Ciss):

2210pF @50V(Vds)

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

106 W

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

4

 

封装参数/封装:

SOT-669

 

外形尺寸/长度:

5 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.1 mm

 

外形尺寸/高度:

1.1 mm

 

外形尺寸/封装:

SOT-669

 

其他/产品生命周期:

Unknown

 

其他/制造应用:

Power Management, Consumer Electronics, Industrial, Communications & Networking, Motor Drive & Control

 

符合标准/RoHS标准:

Non-Compliant

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

海关信息/香港进出口证:

NLR

 

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