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描述: P通道30 -V ( D- S) 175℃ MOSFET P-Channel 30-V (D-S) 175 °C MOSFET
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封 装: TO-220-3
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技术参数/额定功率:

187 W

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.0055 Ω

 

技术参数/极性:

P-Channel

 

技术参数/耗散功率:

3.75 W

 

技术参数/阈值电压:

1 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

30 V

 

技术参数/栅源击穿电压:

±20.0 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

-75.0 A

 

技术参数/上升时间:

225 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

9000pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

3.75 W

 

技术参数/下降时间:

210 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

3750 mW

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-220-3

 

外形尺寸/长度:

10.41 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.7 mm

 

外形尺寸/高度:

9.01 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-220-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

其他/最小包装:

50

 

其他/制造应用:

电源管理, 工业, 便携式器材, 消费电子产品

 

符合标准/RoHS标准:

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

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