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描述: VISHAY SUD06N10-225L-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 6.5 A, 100 V, 0.16 ohm, 10 V
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封 装: TO-252
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.16 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

16.7 W

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

100 V

 

技术参数/上升时间:

8 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

240pF @25V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

9 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

1.5 W

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-252

 

外形尺寸/长度:

6.73 mm

 

外形尺寸/宽度:

6.22 mm

 

外形尺寸/高度:

2.38 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-252

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

其他/制造应用:

Industrial, Power Management

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/06/15

 

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