技术参数/共模抑制比: | 70 dB |
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技术参数/带宽: | 1.4 MHz |
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技术参数/增益频宽积: | 1.4 MHz |
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技术参数/输入补偿电压: | 3 mV |
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技术参数/输入偏置电流: | 0.000002 nA |
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技术参数/工作温度(Max): | 85 ℃ |
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技术参数/工作温度(Min): | -40 ℃ |
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技术参数/增益带宽: | 1.4 MHz |
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技术参数/电源电压: | 4.75V ~ 15.5V |
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封装参数/引脚数: | 8 |
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封装参数/封装: | SOIC-8 |
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外形尺寸/封装: | SOIC-8 |
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其他/产品生命周期: | Unknown |
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其他/包装方式: | Tube |
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符合标准/RoHS标准: | RoHS Compliant |
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符合标准/含铅标准: | Lead Free |
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符合标准/REACH SVHC版本: | 2014/12/17 |
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型号 | 品牌 | 相似度 | 封装 | 简介 | 数据手册 | |
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National Semiconductor (美国国家半导体) | 类似代替 | SOIC-8 |
OP Amp Dual GP R-R O/P 15.5V 8Pin SOIC N T/R
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TI (德州仪器) | 完全替代 | SOIC-8 |
TEXAS INSTRUMENTS LMC662AIMX/NOPB 芯片, 运算放大器, 1.4MHz, 1.1V/uS, SOIC-8
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TI (德州仪器) | 类似代替 | SOIC-8 |
OP Amp Dual GP R-R O/P 15.5V 8Pin SOIC N T/R
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National Semiconductor (美国国家半导体) | 类似代替 | SOIC |
TEXAS INSTRUMENTS LMC662CM/NOPB 芯片, 运算放大器, 1.4MHZ, 1.1V/uS, SOIC-8
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