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型号: STF18N55M5
描述: 550V,13A,N沟道MOSFET
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封 装: TO-220-3
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包装方式: Tube
标准包装数: 1
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技术参数/漏源极电阻:

0.18 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

25 W

 

技术参数/阈值电压:

4 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

550 V

 

技术参数/上升时间:

9.5 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

1260pF @100V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

25 W

 

技术参数/下降时间:

13 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

25W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-220-3

 

外形尺寸/长度:

10.4 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.6 mm

 

外形尺寸/高度:

16.4 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-220-3

 

物理参数/材质:

Silicon

 

物理参数/工作温度:

150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Not Recommended for New Designs

 

其他/包装方式:

Tube

 

其他/制造应用:

Power Management, Industrial

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

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