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型号: HUF75639S3
描述: 56A , 100V , 0.025 Ohm的N通道UltraFET功率MOSFET 56A, 100V, 0.025 Ohm, N-Channel UltraFET Power MOSFETs
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封 装: TO-262-3
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包装方式: Tube
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技术参数/额定电压(DC):

100 V

 

技术参数/额定电流:

56.0 A

 

技术参数/漏源极电阻:

25.0 mΩ

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

200 W

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

100 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

100 V

 

技术参数/栅源击穿电压:

±20.0 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

56.0 A

 

技术参数/上升时间:

60 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

2000pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

200 W

 

技术参数/下降时间:

25 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

200W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-262-3

 

外形尺寸/封装:

TO-262-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

符合标准/RoHS标准:

Non-Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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