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描述: 氮化镓HEMT脉冲功率晶体管2.7 - 3.1 GHz的峰值30W , 500US脉冲,占空比为10% GaN HEMT Pulsed Power Transistor 2.7 - 3.1 GHz, 30W Peak, 500us Pulse, 10% Duty Cycle
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技术参数/频率:

2.7GHz ~ 3.1GHz

 

技术参数/输出功率:

30 W

 

技术参数/增益:

11.2 dB

 

技术参数/测试电流:

250 mA

 

技术参数/额定电压:

65 V

 

封装参数/引脚数:

3

 

其他/产品生命周期:

Obsolete

 

其他/包装方式:

Bulk

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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