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描述: INFINEON IPB067N08N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 80 V, 0.0055 ohm, 10 V, 2.8 V
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封 装: TO-263
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技术参数/额定功率:

136 W

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.0055 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

136 W

 

技术参数/阈值电压:

2.8 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

80 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

80A

 

技术参数/上升时间:

66 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

2890pF @40V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

8 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

136 W

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-263

 

外形尺寸/长度:

10.31 mm

 

外形尺寸/宽度:

9.45 mm

 

外形尺寸/高度:

4.57 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-263

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

其他/制造应用:

Alternative Energy, 发光二极管照明, 车用, Communications & Networking, LED Lighting, 电源管理, 替代能源, 通信与网络, Motor Drive & Control, Automotive, Power Management, 电机驱动与控制, 消费电子产品, Consumer Electronics

 

符合标准/RoHS标准:

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

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