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型号: IPI65R190CFD
描述: ?金属氧化物Semiconduvtor场效应晶体管 Metal Oxide Semiconduvtor Field Effect Transistor
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封 装: TO-262-3
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包装方式: Tube
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技术参数/极性:

N-CH

 

技术参数/阈值电压:

4 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

650 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

17.5A

 

技术参数/上升时间:

8.4 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

1850pF @100V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

151 W

 

技术参数/下降时间:

6.4 ns

 

技术参数/工作温度(Min):

-55.0 ℃

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/封装:

TO-262-3

 

外形尺寸/长度:

10.2 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.5 mm

 

外形尺寸/高度:

9.45 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-262-3

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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