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描述: INFINEON IPD50P04P4L11ATMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -50 A, -40 V, 0.0082 ohm, -10 V, -1.7 V
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封 装: TO-252-3
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技术参数/通道数:

1

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.0082 Ω

 

技术参数/极性:

P-Channel

 

技术参数/耗散功率:

58 W

 

技术参数/阈值电压:

1.7 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

40 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

40 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

50A

 

技术参数/上升时间:

9 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

3900pF @25V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

39 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

58W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-252-3

 

外形尺寸/长度:

6.5 mm

 

外形尺寸/宽度:

6.22 mm

 

外形尺寸/高度:

2.3 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-252-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

其他/制造应用:

Bridge configuration could be realized with 40V P-Channel as high side device with no need of charge pump, 电机驱动与控制, Power Management, 车用, Automotive, High-Side MOSFETs for motor bridges (half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors), Motor Drive & Control, 电源管理

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

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