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描述: Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET **Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
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封 装: TO-262-3
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包装方式: Tube
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100-499:
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500-2499:
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技术参数/极性:

P-CH

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

40 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

80A

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

75 W

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-262-3

 

外形尺寸/长度:

10 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.4 mm

 

外形尺寸/高度:

9.25 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-262-3

 

其他/包装方式:

Tube

 

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