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描述: Infineon OptiMOS P 系列 Si P沟道 MOSFET IPP80P04P4L06AKSA1, 80 A, Vds=40 V, 3引脚 TO-220封装
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封 装: TO-220-3-1
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技术参数/极性:

P-CH

 

技术参数/耗散功率:

88W (Tc)

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

40 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

80A

 

技术参数/上升时间:

12 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

6580pF @25V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

44 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

88W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-220-3-1

 

外形尺寸/长度:

10 mm

 

外形尺寸/宽度:

4.4 mm

 

外形尺寸/高度:

15.65 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-220-3-1

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Not Recommended for New Designs

 

其他/包装方式:

Tube

 

其他/制造应用:

Bridge configuration could be realized with 40V P-Channel as high side device with no need of charge pump, High-Side MOSFETs for motor bridges (half-bridges, H-bridges, 3-phase-motors)

 

符合标准/RoHS标准:

 

符合标准/含铅标准:

无铅

 

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