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技术参数/耗散功率：
125 W
封装参数/封装：
TO-220-3
外形尺寸/封装：
其他/制造商：
STMicroelectronics
其他/产品种类：
MOSFET
其他/RoHS：
符合RoHS
其他/技术：
Si
其他/安装风格：
Through Hole
其他/封装 / 箱体：
其他/通道数量：
1 Channel
其他/晶体管极性：
N-Channel
其他/Vds-漏源极击穿电压：
250 V
其他/Id-连续漏极电流：
14 A
其他/Rds On-漏源导通电阻：
280 mOhms
其他/Vgs - 栅极-源极电压：
20 V
其他/Pd-功率耗散：
其他/配置：
Single
其他/封装：
Tube
其他/系列：
IRF644
其他/晶体管类型：
1 N-Channel
其他/类型：
Power MOSFET Transistors
其他/商标：
其他/产品类型：
其他/工厂包装数量：
50
其他/子类别：
MOSFETs
其他/单位重量：
2.240 g
符合标准/RoHS标准：
RoHS Compliant
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