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型号: IRF5210PBF
描述: P 通道功率 MOSFET 超过 8A,Infineon Infineon 分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 P 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。 MOSFET 晶体管,Infineon (IR) MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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封 装: TO-220-3
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包装方式: Tube
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技术参数/额定电压(DC):

-100 V

 

技术参数/额定电流:

-40.0 A

 

技术参数/漏源极电阻:

0.06 Ω

 

技术参数/极性:

P-Channel

 

技术参数/耗散功率:

200 W

 

技术参数/产品系列:

IRF5210

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

100 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

-100 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

-40.0 A, 40.0 A

 

技术参数/上升时间:

86.0 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

2700pF @25V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

200 W

 

技术参数/工作温度(Max):

175 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-220-3

 

外形尺寸/长度:

10.54 mm

 

外形尺寸/高度:

15.24 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-220-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 175℃

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tube

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2014/12/17

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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