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型号: IRF840
描述: 功率MOSFET Power MOSFET
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封 装: Through Hole
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包装方式: Tube
标准包装数: 1
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技术参数/额定电压(DC):

500 V

 

技术参数/额定电流:

8.00 A

 

技术参数/漏源极电阻:

850 mΩ

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

125 W

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

500 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

500V (min)

 

技术参数/栅源击穿电压:

±20.0 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

8.00 A

 

技术参数/上升时间:

23 ns

 

技术参数/下降时间:

20 ns

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃

 

其他/包装方式:

Tube

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Contains Lead

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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