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技术参数/耗散功率：
3 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极)：
80 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE)：
30 @250mA, 1V
技术参数/额定功率(Max)：
技术参数/工作温度(Max)：
200 ℃
技术参数/工作温度(Min)：
-65 ℃
技术参数/耗散功率(Max)：
3000 mW
封装参数/安装方式：
Through Hole
封装参数/引脚数：
3
封装参数/封装：
TO-213
外形尺寸/封装：
物理参数/材质：
Silicon
物理参数/工作温度：
-65℃ ~ 200℃ (TJ)
其他/包装方式：
Bulk
符合标准/RoHS标准：
Non-Compliant
符合标准/含铅标准：
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