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描述: LITTELFUSE MG06100S-BR1MM IGBT Array & Module Transistor, Dual NPN, 150A, 1.9V, 625W, 600V, Module
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技术参数/极性:

NPN

 

技术参数/耗散功率:

625 W

 

技术参数/击穿电压(集电极-发射极):

600 V

 

技术参数/输入电容(Cies):

5.3nF @25V

 

技术参数/额定功率(Max):

625 W

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-40 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

625000 mW

 

封装参数/安装方式:

Chassis

 

封装参数/引脚数:

7

 

封装参数/封装:

S-3

 

外形尺寸/封装:

S-3

 

物理参数/工作温度:

-40℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Bulk

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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