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描述: Igbt Module 1200V 183A Hex
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封 装: E3-Pack
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技术参数/耗散功率:

630 W

 

技术参数/击穿电压(集电极-发射极):

1200 V

 

技术参数/输入电容(Cies):

7.43nF @25V

 

技术参数/额定功率(Max):

630 W

 

技术参数/工作温度(Max):

125 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

40 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

630000 mW

 

封装参数/封装:

E3-Pack

 

外形尺寸/封装:

E3-Pack

 

物理参数/工作温度:

-40℃ ~ 125℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Bulk

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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