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技术参数/频率：
50 MHz
技术参数/耗散功率：
1 W
技术参数/击穿电压(集电极-发射极)：
300 V
技术参数/最小电流放大倍数(hFE)：
120 @20mA, 10V
技术参数/额定功率(Max)：
技术参数/工作温度(Max)：
150 ℃
技术参数/工作温度(Min)：
-55 ℃
技术参数/耗散功率(Max)：
1000 mW
封装参数/安装方式：
Through Hole
封装参数/引脚数：
3
封装参数/封装：
TO-226-3
外形尺寸/封装：
物理参数/材质：
Silicon
物理参数/工作温度：
150℃ (TJ)
其他/产品生命周期：
Active
符合标准/RoHS标准：
RoHS Compliant
符合标准/含铅标准：
无铅
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