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型号: MMJT9435T3G
描述: 双极功率晶体管PNP硅 Bipolar Power Transistors PNP Silicon
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封 装: TO-261-4
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包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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技术参数/额定电压(DC):

-30.0 V

 

技术参数/额定电流:

-3.00 A

 

技术参数/极性:

PNP

 

技术参数/耗散功率:

3 W

 

技术参数/击穿电压(集电极-发射极):

30 V

 

技术参数/集电极最大允许电流:

3A

 

技术参数/最小电流放大倍数(hFE):

125 @800mA, 1V

 

技术参数/额定功率(Max):

3 W

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

1560 mW

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

4

 

封装参数/封装:

TO-261-4

 

外形尺寸/长度:

6.5 mm

 

外形尺寸/宽度:

3.5 mm

 

外形尺寸/高度:

1.57 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-261-4

 

物理参数/材质:

Silicon

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Unknown

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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