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型号: MMRF1317HR5
描述: 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 RF POWER LDMOS TRANSISTOR 1030-1090 MHz, 1300 W Peak, 50 V
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封 装: NI-1230-4H
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/频率:

1.03 GHz

 

技术参数/耗散功率:

869 W

 

技术参数/输出功率:

1300 W

 

技术参数/增益:

18.2 dB

 

技术参数/测试电流:

100 mA

 

技术参数/工作温度(Max):

225 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

869000 mW

 

技术参数/额定电压:

105 V

 

技术参数/电源电压:

50 V

 

封装参数/引脚数:

5

 

封装参数/封装:

NI-1230-4H

 

外形尺寸/封装:

NI-1230-4H

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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