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型号: MMRF5014HR5
描述: RF Power Transistor,1 to 2700MHz, 125W, Typ Gain in dB is 16 @ 2500MHz, 50V, GaN, SOT1791
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封 装: NI-360H-2SB
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/频率:

2.5 GHz

 

技术参数/耗散功率:

232000 mW

 

技术参数/输出功率:

125 W

 

技术参数/增益:

18 dB

 

技术参数/测试电流:

350 mA

 

技术参数/输入电容(Ciss):

51pF @50V(Vds)

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

232000 mW

 

技术参数/额定电压:

125 V

 

技术参数/电源电压:

50 V

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

NI-360H-2SB

 

外形尺寸/封装:

NI-360H-2SB

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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