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型号: MS1509
描述: RF Power Bipolar Transistor, 1Element, Ultra High Frequency Band, Silicon, NPN, 0.400 X 0.425INCH, M168, 8Pin
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封 装: M-168
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技术参数/耗散功率:

260000 mW

 

技术参数/击穿电压(集电极-发射极):

33 V

 

技术参数/增益:

5.5 dBi

 

技术参数/最小电流放大倍数(hFE):

20 @1mA, 5V

 

技术参数/额定功率(Max):

260 W

 

技术参数/工作温度(Max):

200 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-65 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

260000 mW

 

封装参数/安装方式:

Chassis

 

封装参数/引脚数:

9

 

封装参数/封装:

M-168

 

外形尺寸/高度:

7.11 mm

 

外形尺寸/封装:

M-168

 

物理参数/工作温度:

200℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Bulk

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

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