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型号: SIHG25N40D-GE3
描述: VISHAY SIHG25N40D-GE3 晶体管, MOSFET, N沟道, 25 A, 400 V, 0.14 ohm, 10 V, 3 V
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品 牌: Vishay Semiconductor (威世)
封 装: TO-247-3
货 期:
包装方式: Tube
标准包装数: 1
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5-49:
¥12.4371
50-199:
¥11.9056
200-499:
¥11.6080
500-999:
¥11.5336
1000-2499:
¥11.4591
2500-4999:
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技术参数/通道数:

1

 

技术参数/针脚数:

3

 

技术参数/漏源极电阻:

0.14 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

278 W

 

技术参数/阈值电压:

3 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

400 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

500 V

 

技术参数/上升时间:

57 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

1707pF @10V(Vds)

 

技术参数/下降时间:

37 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

278 W

 

封装参数/安装方式:

Through Hole

 

封装参数/引脚数:

3

 

封装参数/封装:

TO-247-3

 

外形尺寸/长度:

15.87 mm

 

外形尺寸/宽度:

5.31 mm

 

外形尺寸/高度:

20.82 mm

 

外形尺寸/封装:

TO-247-3

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃

 

其他/包装方式:

Tube

 

其他/制造应用:

Industrial, Consumer Electronics, Power Management, Portable Devices

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

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