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型号: FDMS6673BZ
描述: PowerTrench® P 通道 MOSFET,Fairchild Semiconductor PowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 (Qg)、小反向恢复电荷 (Qrr) 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于之前的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 (>250V) 低电压 (Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
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封 装: Power-56
货 期:
包装方式: Tape & Reel (TR)
标准包装数: 1
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1000-1999:
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2000-4999:
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技术参数/针脚数:

8

 

技术参数/漏源极电阻:

0.0052 Ω

 

技术参数/极性:

P-Channel

 

技术参数/耗散功率:

73 W

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

30 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

15.2A

 

技术参数/上升时间:

28 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

5915pF @15V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

2.5 W

 

技术参数/下降时间:

79 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

2.5W (Ta), 73W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

8

 

封装参数/封装:

Power-56

 

外形尺寸/长度:

5 mm

 

外形尺寸/宽度:

6 mm

 

外形尺寸/高度:

1.05 mm

 

外形尺寸/封装:

Power-56

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/06/15

 

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