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技术参数/漏源极电压(Vds):
100 V
封装参数/封装:
SOT-223
外形尺寸/封装:
其他/商品目录:
MOS(场效应管)
其他/漏源电压(Vdss):
100V
其他/连续漏极电流(Id)(25°C 时):
3.3A
其他/栅源极阈值电压:
2.6V @ 250uA
其他/漏源导通电阻:
140mΩ @ 2A,10V
其他/最大功率耗散(Ta=25°C):
2.5W
其他/类型:
N沟道
其他/商品编号:
C373440
其他/封装规格:
SOT223
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