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型号: NDB7060L
描述: N沟道逻辑电平增强模式场效应晶体管 N-Channel Logic Level Enhancement Mode Field Effect Transistor
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封 装: TO-263-3
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包装方式: Cut Tape (CT)
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技术参数/额定电压(DC):

60.0 V

 

技术参数/额定电流:

75.0 A

 

技术参数/极性:

N-CH

 

技术参数/耗散功率:

150W (Tc)

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

60 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

75.0 A

 

技术参数/输入电容(Ciss):

4000pF @25V(Vds)

 

技术参数/耗散功率(Max):

150W (Tc)

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/封装:

TO-263-3

 

外形尺寸/封装:

TO-263-3

 

物理参数/工作温度:

-65℃ ~ 175℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Unknown

 

其他/包装方式:

Cut Tape (CT)

 

符合标准/RoHS标准:

Non-Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Contains Lead

 

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