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型号: NTHD4508NT1G
描述: ON SEMICONDUCTOR NTHD4508NT1G 双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.1 A, 20 V, 0.06 ohm, 4.5 V, 1.2 V
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封 装: SMD-8
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包装方式: Tape & Reel (TR)
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技术参数/额定电压(DC):

20.0 V

 

技术参数/额定电流:

3.10 A

 

技术参数/针脚数:

8

 

技术参数/漏源极电阻:

0.06 Ω

 

技术参数/极性:

N-Channel, Dual N-Channel

 

技术参数/耗散功率:

2.1 W

 

技术参数/阈值电压:

1.2 V

 

技术参数/漏源极电压(Vds):

20 V

 

技术参数/漏源击穿电压:

20.0 V

 

技术参数/栅源击穿电压:

±12.0 V

 

技术参数/连续漏极电流(Ids):

4.10 A, 4.10 mA

 

技术参数/上升时间:

15 ns

 

技术参数/输入电容(Ciss):

180pF @10V(Vds)

 

技术参数/额定功率(Max):

1.13 W

 

技术参数/下降时间:

3 ns

 

技术参数/工作温度(Max):

150 ℃

 

技术参数/工作温度(Min):

-55 ℃

 

技术参数/耗散功率(Max):

2.1 W

 

封装参数/安装方式:

Surface Mount

 

封装参数/引脚数:

8

 

封装参数/封装:

SMD-8

 

外形尺寸/长度:

3.1 mm

 

外形尺寸/宽度:

1.7 mm

 

外形尺寸/高度:

1.1 mm

 

外形尺寸/封装:

SMD-8

 

物理参数/工作温度:

-55℃ ~ 150℃ (TJ)

 

其他/产品生命周期:

Active

 

其他/包装方式:

Tape & Reel (TR)

 

其他/制造应用:

工业, Power Management, 便携式器材, Industrial, Portable Devices, 电源管理

 

符合标准/RoHS标准:

RoHS Compliant

 

符合标准/含铅标准:

Lead Free

 

符合标准/REACH SVHC标准:

No SVHC

 

符合标准/REACH SVHC版本:

2015/12/17

 

海关信息/ECCN代码:

EAR99

 

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